산화공정1 반도체 산화 공정이란? 반도체 산화 공정이란? 원리와 종류 쉽게 설명반도체 제조 과정에서 필수적인 산화 공정의 원리와 종류, 그리고 주요 활용 사례를 알아보겠습니다.1. 반도체 산화 공정이란?반도체 산화 공정(Oxidation Process)은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막(SiO2)을 형성하는 과정입니다. 이 산화막은 반도체 소자의 절연층 역할을 하며, 소자의 성능과 신뢰성을 결정하는 중요한 공정 중 하나입니다.🔹 산화막의 주요 역할절연층: 트랜지스터의 게이트 절연막으로 사용보호막: 불순물 확산 방지마스크 역할: 이온 주입 공정에서 특정 영역 보호2. 반도체 산화 공정의 종류① 열 산화(Thermal Oxidation)웨이퍼를 고온(800~1200℃)에서 산소 또는 수증기와 반응시켜 산화 실리콘(SiO₂)을 형성하는 방식입니.. 2025. 3. 4. 이전 1 다음